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PolarHV TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTH 36N50P
IXTQ 36N50P
IXTT 36N50P
IXTV 36N50P
IXTV 36N50PS
V DSS
I D25
R DS(on)
= 500 V
= 36 A
≤ 170 m ?
TO-3P (IXTQ)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
500
500
± 30
V
V
V
G
D
S
(TAB)
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
± 40
36
108
36
50
1.5
10
V
A
A
A
mJ
J
V/ns
TO-247 (IXTH)
TO-268 (IXTT)
(TAB)
T J ≤ 150 ° C, R G = 3 ?
P D
T C = 25 ° C
540
W
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G
S
D (TAB)
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
PLUS220 (IXTV)
M d
Mounting torque(TO-247)
1.13/10 Nm/lb.in.
S
F C
Weight
Mounting force (PLUS220)
TO-247
TO-268
PLUS220
TO-3P
20..120/4.5..15
6
5
2
5.5
N/lb
g
g
g
g
G
D
PLUS220 SMD(IXTV..S)
D (TAB)
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
V DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
500 V
G = Gate
G
S
D = Drain
D (TAB)
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
3.0
5.0
± 100
V
nA
S = Source
Features
TAB = Drain
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
25
250
μ A
μ A
l
l
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
170 m ?
l
Low package inductance
- easy to drive and to protect
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99228E(01/06)
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